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J-GLOBAL ID:200903090559020260

半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 松月 美勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995127282
Publication number (International publication number):1996306735
Application date: Apr. 27, 1995
Publication date: Nov. 22, 1996
Summary:
【要約】【目的】半導体チップ1の電極11に接続される内側電極21と被実装回路板の導体端に接続される外側電極22とこれらの電極間にまたがる引き回し導体23とからなるプリント配線パタ-ンを有するチップサイズの補助配線板片2を半導体チップ1の電極11側の面にあてがい、該補助配線板片2の内側電極21と半導体チップ1の電極11とを金属バンプ211を介し接続する半導体装置において、半導体チップ1と補助配線板片2とを高い導通成功率で接続でき、しかもその間の樹脂封止にも高い信頼性を保証できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】上記金属バンプ211を介しての接続を上記補助配線板片2を平滑台4に減圧吸着、静電吸着等で吸着した状態で行う。
Claim (excerpt):
半導体チップの電極に接続される内側電極と被実装回路板の導体端に接続される外側電極とこれらの電極間にまたがる引き回し導体とからなる配線パタ-ンをプラスックフィルムに設けた補助配線板片の内側電極側と半導体チップの電極とを金属バンプを介して接続し、補助配線板片と半導体チップとの間に封止樹脂を介在させた半導体装置を製造する方法において、上記金属バンプを介しての接続を上記補助配線板片を平滑台に吸着した状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60
FI (2):
H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/60 311 R

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