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J-GLOBAL ID：200903090563836789

イオン注入装置用内部保護部材及びイオン注入装置

Inventor： 後藤 圭一 ,  川合 信 ,  田村 和義
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000128179
Publication number (International publication number)：2001312991
Application date： Apr. 27, 2000
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板に不純物を打ち込む際、コンタミネーションを防止するとともに、不純物を所望量で正確に打ち込むことができ、また、メンテナンスが容易なイオン注入装置を提供する。【解決手段】 イオン注入装置の内部に取り付けられる保護部材であって、不純物がドーピングされた半導体材料からなることを特徴とするイオン注入装置用内部保護部材。例えば、シリコン基板11に不純物を注入する場合は、該不純物がドーピングされたシリコンからなる保護部材14を装置1の内壁12に取り付ける。

Claim (excerpt)：

イオン注入装置の内部に取り付けられる保護部材であって、不純物がドーピングされた半導体材料からなることを特徴とするイオン注入装置用内部保護部材。

IPC (5)：

H01J 37/317 ,  C30B 29/06 ,  H01J 37/16 ,  H01L 21/265 603 ,  H01L 21/265

FI (6)：

H01J 37/317 Z ,  C30B 29/06 C ,  H01J 37/16 ,  H01L 21/265 603 A ,  H01L 21/265 603 B ,  H01L 21/265 603 C

F-Term (8)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB03 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  5C034CC16 ,  5C034CC19