Pat
J-GLOBAL ID：200903090572437641
半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001115174
Publication number (International publication number)：2002314198
Application date： Apr. 13, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：
【要約】【課題】 簡易な構成で高出力を達成することが可能なIII-V族窒化物半導体層からなるマルチビームの半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1の上にバッファ層2、種結晶層3が形成され、その上に帯状の成長抑止層4A,開口部4Bが所定の間隔で交互に設けられている。更にその上には、横方向成長技術により開口部4Bから成長させたGaNの窒化物半導体層5が形成されている。窒化物半導体層5には、横方向成長領域を含む低欠陥部分と、開口部4Bの上部と会合部Mに発生する貫通転位D1 ,D2 を含んだ高欠陥領域とが存在する。これらは、成長抑止層4Aの間隔に従って周期的に形成されている。このうち低欠陥部分の上に発光部20が所定の間隔で周期的に形成され、高欠陥部分を除去したところへn側電極14が形成されている。この発光部20は、p側電極13をマスクとしたエッチングにより一度に形成される。
Claim (excerpt)：
窒化物系III-V族化合物よりなり、結晶部と離間部とを有する種結晶部と、前記種結晶部を基に形成された低欠陥領域、および、前記離間部に対応する領域に形成された会合部を含む窒化物半導体層と、各々、前記窒化物半導体層の低欠陥領域に対応して電流注入領域を有する複数の発光部とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
H01S 5/22 610
, H01S 5/323 610
H01S 5/22 610
, H01S 5/323 610
5F073AA45
, 5F073AA61
, 5F073AA83
, 5F073AA84
, 5F073CA02
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073DA30
, 5F073DA32
, 5F073EA24
