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J-GLOBAL ID：200903090575090790

半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor： 細羽 弘之 ,  須山 尚宏 ,  大林 健 ,  兼岩 進治 ,  近藤 雅文 ,  幡 俊雄
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992189608
Publication number (International publication number)：1994037391
Application date： Jul. 16, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 漏れ電流が低減した効率のよい屈折率導波構造を有し、かつ閾値電流が低く、特に信頼性および雑音特性に優れた半導体レーザ素子を提供する。【構成】 電流狭窄用のストライプ溝112上に形成されたAlwGa1-wAs第3クラッド層8において、第3クラッド層8におけるストライプ溝112の底の上方にある部分の導電型とストライプ溝112の両側面の上方にある部分の導電型が異なる。

Claim (excerpt)：

AlyGa1-yAsからなる活性層(yは0以上1以下)の上下方向両側をAlxGa1-xAsからなる第1クラッド層(xは0以上1以下)とAlzGa1-zAsからなる第2クラッド層(zは0以上1以下)とで挟んでなる光発生用の積層部と、離隔された2つの電流阻止層の間に電流狭窄用のストライプ溝が形成され、該ストライプ溝を含む該電流阻止層の上にAlwGa1-wAsからなる第3クラッド層(wは0以上1以下)を備えた電流狭窄機構部とをGaAs基板の上に有し、該第3クラッド層における該ストライプ溝の底の上方にある部分の導電型と該ストライプ溝の両側面の上方にある部分の導電型が異なる半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-239980
  
• 特開平1-091485