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J-GLOBAL ID：200903090585946570

光半導体装置

Inventor： 藤本 英俊 ,  上本 勉 ,  三橋 浩 ,  西尾 譲司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991219100
Publication number (International publication number)：1993063237
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 炭化珪素発光素子中のp型炭化珪素に対して、金属膜をオーミック電極とするための熱処理工程において消失せず、またその熱処理工程によって球形化しない電極を形成する。【構成】 IV族元素又は立方晶BNの光半導体素子のp型領域13に隣接して形成されるp型炭化珪素の電極22としてIII 族金属と該III 族金属との金属間化合物の融点が該III 族金属の融点以上となるPt,Cr,Ta,Ti,W,Mo,Sbから選ばれた一つの金属との金属間化合物を用いる。また、オーミック電極となり得る金属膜上に高い温度を融点として持つ物質を積層する。【効果】 半導体素子製造工程に必要なボンディング工程を容易に行なえる。また、より高温で熱処理することができるため一層低抵抗の電極を形成できる。

Claim (excerpt)：

IV族元素または立方晶BNの光半導体素子のp型領域と、このp型領域に隣接して形成され、III 族金属との金属間化合物の融点が該III 族金属の融点より高いPt、Cr、Ta、Ti、W、Mo、Sbの中から選ばれた一つの金属で構成された金属間化合物でなるオーミック電極とを具備することを特徴とする光半導体装置。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-005559
  
• 特開昭58-170059
  
• 特開昭64-020616
  
• 特開昭60-005559