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J-GLOBAL ID：200903090599184486

薄膜の製造方法および薄膜素子の製造方法

Inventor： ダラム パル ゴサイン ,  ジョナサン ウエストウォーター ,  碓井 節夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995120510
Publication number (International publication number)：1996293471
Application date： Apr. 21, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】 危険なガスを用いることなく薄膜を製造することができ、しかもレーザービームなどの照射により薄膜を結晶化させる際に膜の破壊が生ずるのを防止することができる薄膜の製造方法およびそれを用いた薄膜素子の製造方法を提供する。【構成】 多結晶Si薄膜形成用の非晶質Si薄膜6を、スパッタガスとしてHeガスを用いたスパッタリング法により形成した後、250〜400°Cで熱処理を行うことにより、成膜中に非晶質Si薄膜6中に入ったHeを外部に放出させる。この後、非晶質Si薄膜6にレーザービームを照射することにより結晶化を行い、多結晶Si薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

アルゴンより原子半径が小さい希ガス元素のガスをスパッタガスとして用いたスパッタリング法により低耐熱性の基板上に薄膜を形成する工程と、上記薄膜を上記基板の軟化温度より低い温度で熱処理する工程とを有することを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7)：

H01L 21/203 S ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-177736
  
• 特開平3-231472
  
• 特開昭57-172742
  
• 特開昭61-233407
  
• 特開昭61-233408