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J-GLOBAL ID：200903090600255171

可変検出スレッショルドを有する光検出デバイス

Inventor： バドツ ピエール アントワーヌ ,  デュボツ ジャン イブ
Applicant, Patent owner： フランス テレコム エタブリスマン オトノム ド ドルワ ピュブリク (サーントル ナショナル デチュド デ テレコミュニカシオン)
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991058839
Publication number (International publication number)：1993322646
Application date： Mar. 22, 1991
Publication date： Dec. 07, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 可変検出スレッショルドを有する光検出デバイスを提供すること。【構成】 基板12上のヘテロ構造を有する少なくとも1つの素子を含み、該ヘテロ構造には2つの導電層6,10が組込まれており、該2つの導電層の間にはそれぞれの該導電層と電位障壁を形成する半導体層8が含まれていて、前記ヘテロ構造の検出スレッショルドに少なくとも等しいエネルギーを有する光放射によって該ヘテロ構造が照射されると励起電子が生成され、それによって、該放射を一方の該導電層と他方の該導電層との間の内部光電子放出により検出しうるようになっている。このデバイスはさらに、前記ヘテロ構造の可変偏極手段18を含み、該偏極手段は該デバイスの検出スペクトルおよび検出スレッショルドを変化させうるようになっている。このデバイスは、赤外放射の検出に適用されうる。

Claim (excerpt)：

光検出デバイスであって、該デバイスが、基板(12,28)と、該基板上のヘテロ構造を有する少なくとも1つの素子(38)とを含み、該ヘテロ構造には2つの導電層(6,10;22,24;30,34)が組込まれており、該2つの導電層の間にはそれぞれの該導電層と電位障壁を形成する中間の半導体または絶縁体層(8,26,32)が含まれていて、前記ヘテロ構造の検出スレッショルドに少なくとも等しいエネルギーを有する光放射によって該ヘテロ構造が照射される励起電子が生成され、それによって、この放射を一方の該導電層から他方の該導電層への内部光電子放出により検出しうるようになっていることと、前記デバイスがさらに前記ヘテロ構造の可変偏極手段(18)を含み、該偏極手段が前記デバイスの検出スペクトルおよび検出スレッショルドを変化させうるようになっていることと、を特徴とする光検出デバイス。