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J-GLOBAL ID：200903090602482159

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 小林 平治
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048915
Publication number (International publication number)：1995263677
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 MOSトランジスタにおいて、微細なゲート電極を精度良く形成する。【構成】 半導体基板1上の所定領域に酸化膜パターン11を形成し、この酸化膜パターン11に、ゲート電極8となるドープドポリシリコン膜8bのサイドウォールを形成した後酸化膜パターン11を除去することによって、サイドウォールの幅をゲート長とする微細なゲート電極8を得る。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ソース・ドレイン領域とを有する半導体装置において、上記ゲート電極が、上記半導体基板上に形成されたパターンの側壁に自己整合的にサイドウォールとして形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 X