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J-GLOBAL ID：200903090608637685

半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器

Inventor： 佐伯 孝行 ,  古沢 昌宏 ,  石田 方哉
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 上柳 雅誉 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002119787
Publication number (International publication number)：2003318190
Application date： Apr. 22, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】基板上の所定領域に液体をインクジェット法で滴下して乾燥することにより、有機薄膜トランジスタのソースおよびドレインを形成する方法として、製造コストが低減できる方法を提供する。【解決手段】画素回路の画素電極21および信号線22を基板上に形成する際に、ソースを形成する領域に対応させたソース領域部分23とドレインを形成する領域に対応させたドレイン領域部分24を同時に形成する。基板1として、滴下する液体(ソースおよびドレインを形成する液体)に対する撥液性を有するポリイミドフィルムを用いる。ソース領域部分23およびドレイン領域部分24の表面に、前記液体に対する親液性を有する金メッキを施す。

Claim (excerpt)：

液状材料を塗布することにより基板面の所定領域に前記液状材料からなる層を配置する工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記基板上に、前記液状材料に対する親和性が隣接する他の領域より高い複数の領域を、互いに離間した配置で設けた後、前記複数の領域のうちの少なくとも二つの領域に、前記層を配置する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/312 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/786

FI (8)：

H01L 21/208 Z ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/312 A ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/50 M ,  H01L 29/78 616 U

F-Term (53)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD63 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  5F053AA50 ,  5F053BB09 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053HH10 ,  5F053LL10 ,  5F053RR13 ,  5F058AB07 ,  5F058AC10 ,  5F058AF06 ,  5F058AH01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF21 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK22 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06