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J-GLOBAL ID：200903090612544020

第2次高調波発生素子及び第2次高調波の発生方法

Inventor： 佐川 雅一 ,  角田 敦 ,  香川 博之 ,  川端 幸雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992251200
Publication number (International publication number)：1994102551
Application date： Sep. 21, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【構成】導波路となるチャネル1と、該チャネルを覆うクラッドを有するチャネル型導波路を備え、前記チャネルの少なくとも一部が非線形光学材料で構成され、該チャネルを覆うクラッド層の一部が屈折率可変層3で構成されていることを特徴とする第2次高調波発生素子。【効果】擬似位相整合条件の調整を素子完成後に動作状態で行うことができるため素子作製の歩留まりを向上でき、波長変動の大きい半導体レーザーを励起光源に利用することができるため、小型の短波長レーザー光源を得ることができる。

Claim (excerpt)：

導波路となるチャネルと、該チャネルを覆うクラッドを有するチャネル型導波路を備え、前記チャネルの少なくとも一部が非線形光学材料で構成され、該チャネルを覆うクラッド層の一部が屈折率可変材料で構成されていることを特徴とする第2次高調波発生素子。