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J-GLOBAL ID：200903090631009594
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993235101
Publication number (International publication number)：1995094747
Application date： Sep. 21, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 遮光層が上に形成された薄膜トランジスタを製造する。工程数を少なくする。エッチングによるダメージが遮光膜樹脂に及ぶのを防ぐ。【構成】 TFTを覆うようにして透明基板8の全面に保護膜6および遮光膜樹脂7を順次形成する。遮光膜樹脂7上にレジスト膜9を塗布し、露光、現像、パターニングを行った後、一度のエッチングにより、保護膜6および遮光膜樹脂7の不要部分を同時に除去する。
Claim (excerpt)：
透明基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層および絵素電極がこの順に積層され、かつこれらを覆うようにして保護膜としての役割をも有する遮光膜が積層されている薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
