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J-GLOBAL ID：200903090634069490

フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、及び、半導体素子

Inventor： 李 根守 ,  高 次元 ,  鄭 載昌 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  白 基鎬
Applicant, Patent owner： 現代電子産業株式会社
Agent (1)： 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999295656
Publication number (International publication number)：2000122290
Application date： Oct. 18, 1999
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は前記した問題点を解決するためのものであり、優れたエッチング耐性、接着性及び感度を有するとともに、低い生産単価で大量生産が可能な新規のフォトレジスト単量体及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 下記式(1)で示される単量体、及び、これを含むフォトレジスト共重合体が開示される。【化1】前記式で、X1及びX2はそれぞれ、CH2、CH2CH2、OまたはSであり、YはCH2またはOであり、R1はHまたはCH3であり、R'及びR''はそれぞれ、炭素数0乃至3の、置換された、或いは非置換のアルキル基であり、iは0乃至3の整数である。

Claim (excerpt)：

下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト単量体。【化1】(前記式で、X1及びX2はそれぞれCH2、CH2CH2、OまたはSであり、YはCH2またはOであり、R1はHまたはCH3であり、R'及びR''はそれぞれ、炭素数0乃至3の、置換された、或いは非置換のアルキル基であり、iは0乃至3の整数である。)

IPC (4)：

G03F 7/039 601 ,  C08F222/06 ,  C08F232/02 ,  C08L 45/00

FI (4)：

G03F 7/039 601 ,  C08F222/06 ,  C08F232/02 ,  C08L 45/00