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J-GLOBAL ID:200903090635547272
半導体装置及びその製造方法及びその搬送トレイ及び半導体基板の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998048082
Publication number (International publication number):1999251493
Application date: Feb. 27, 1998
Publication date: Sep. 17, 1999
Summary:
【要約】【課題】本発明はチップサイズパッケージ構造を有した半導体装置及びその製造方法及びその搬送トレイに関し、半導体装置の製造効率及び信頼性の向上を図ることを課題とする。【解決手段】突起電極23が形成されてなる半導体素子21と、この半導体素子21の突起電極形成側の面に形成されており、突起電極23の一部を残し突起電極形成側の面を封止する封止樹脂層22とを具備する半導体装置において、封止樹脂層22及び半導体素子21の外周部分に面取り部24Aを形成し、この部位における応力集中及び破損発生を回避する。
Claim (excerpt):
突起電極が形成されてなる半導体素子と、前記半導体素子の突起電極形成側の面に形成されており、前記突起電極の一部を残し前記突起電極形成側の面を封止する封止樹脂層とを具備する半導体装置において、前記封止樹脂層及び前記半導体素子の内、少なくとも前記封止樹脂層の外周部分に面取り部を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (5):
H01L 23/28
, H01L 21/68
, H01L 21/301
, H01L 21/02
, H01L 21/60
FI (6):
H01L 23/28 J
, H01L 21/68 U
, H01L 21/02 B
, H01L 21/78 L
, H01L 21/78 Q
, H01L 21/92 604 L
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-134654
Applicant:松下電子工業株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-284067
Applicant:松下電子工業株式会社
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半導体電子部品の製造方法およびウエハ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-026434
Applicant:株式会社日立製作所
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ウェーハ等の切削方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-023421
Applicant:株式会社ディスコ
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-271323
Applicant:日本電気株式会社
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特開平3-187242
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キャリア及び電子部品製造方法ならびに電子部品実装方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-253142
Applicant:松下電器産業株式会社
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特開平4-025154
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特開昭58-079739
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