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J-GLOBAL ID：200903090642507790

誘電体磁器組成物とこの誘電体磁器組成物を用いたセラミック電子部品

Inventor： 佐々木 信弘 ,  堀江 克之 ,  茶園 広一
Applicant, Patent owner： 太陽誘電株式会社
Agent (1)： 窪田 法明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997211281
Publication number (International publication number)：1999043370
Application date： Jul. 22, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 セラミック電子部品は従来は1000°C以下の温度で焼成して製造されていた。しかし、内部電極の材料としてAg等の融点の低い金属材料や卑金属材料等の使用を考慮すると、焼成温度は920°C程度が上限となり、1000°C以下という温度は十分に低い焼成温度といえない。【解決手段】 この発明に係る誘電体磁器組成物は、タングステンブロンズ形結晶構造相と、Ba2 Ti9 O20,BaTi2 O5 ,BaTi4 O9 及びBa4 Ti13O30から選択された1種又は2種以上からなるチタン酸バリウム類相と、少なくともB,Ag及びMnの各酸化物からなる微量結晶相とからなり、前記タングステンブロンズ形結晶構造相はBa,Nd及びTiの複合酸化物を基本成分とし、少なくともBi,Pb,Zn及びSiの各酸化物を含有し、前記各成分の割合は所定の範囲に限定されている。

Claim (excerpt)：

タングステンブロンズ形結晶構造相と、Ba2 Ti9 O20,BaTi2 O5 ,BaTi4 O9 及びBa4 Ti13O30から選択された1種又は2種以上からなるチタン酸バリウム類相と、少なくともB,Ag及びMnの各酸化物からなる微量結晶相とからなり、前記タングステンブロンズ形結晶構造相はBa,Nd及びTiの複合酸化物を基本成分とし、少なくともBi,Pb,Zn及びSiの各酸化物を含有し、前記タングステンブロンズ形結晶構造相の割合をXmol%、前記チタン酸バリウム類相の割合をYmol%とし、X+Y=100mol%とした場合、X=80〜98mol%、前記タングステンブロンズ形結晶構造相に含有されているBiの酸化物が1〜5mol%、Pbの酸化物が1〜6mol%、Znの酸化物が2〜11mol%、Siが2〜11mol%、前記タングステンブロンズ形結晶構造相と前記チタン酸バリウム類相の合計量に対し、前記微量結晶相を形成しているBの酸化物が1〜6mol%、Agの酸化物が1〜6mol%、Mnの酸化物が1〜5mol%の割合になっていることを特徴とする誘電体磁器組成物。

IPC (2)：

C04B 35/46 ,  C04B 35/495

FI (2)：

C04B 35/46 D ,  C04B 35/00 J