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J-GLOBAL ID：200903090652351039

半導体発光装置の製造方法

Inventor： 山本 直
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996350546
Publication number (International publication number)：1998190128
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 すぐれた温度特性を有し、低しきい値電流Ith、低動作電流IOp、高信頼性を有する多重量子障壁構造層を有する半導体発光装置を得ることができるようにする。【解決手段】 多重量子障壁構造層が、縦構造中に有する半導体発光装置の製造方法において、その多重量子障壁構造層の成膜を、原子層エピタキシー法によって形成する。

Claim (excerpt)：

多重量子障壁構造層が、縦構造中に有する半導体発光装置の製造方法において、上記多重量子障壁構造層の成膜を、原子層エピタキシー法によって形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。