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J-GLOBAL ID：200903090667263233

光起電力素子

Inventor： 寺田 典裕 ,  寺川 朗 ,  矢田 茂郎
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998325715
Publication number (International publication number)：2000150935
Application date： Nov. 16, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 光電変換特性の向上を図れる光起電力素子を提供する。【解決手段】 光入射側のドープ層であるp層3と光電活性層であるi層5との間に、光学的バンドギャップが1.75eV以上、水素濃度が30%以上、ワイドギャップ化添加元素の濃度が1%未満である非晶質シリコン(a-Si)膜からなるバッファ層4を設ける。

Claim (excerpt)：

光入射側のドープ層と光電活性層との間にバッファ層を備える光起電力素子において、前記バッファ層は、光学的バンドギャップが1.75eV以上、水素濃度が30%以上、ワイドギャップ化添加元素の濃度が1%未満である非晶質シリコン膜であることを特徴とする光起電力素子。

F-Term (6)：

5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA11 ,  5F051DA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

• アモルファスシリコン系太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-104165   Applicant：三菱重工業株式会社
• 非晶質シリコン薄膜の形成方法およびこれを用いた光起電力装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-273304   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-221178   Applicant：キヤノン株式会社
• 非晶質半導体及びその製造方法並びに光起電力装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-066127   Applicant：三洋電機株式会社
• プラズマCVDによるアモルファスシリコンの成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-067857   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭62-165374
  
• 薄膜太陽電池およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-093191   Applicant：富士電機株式会社
• 薄膜太陽電池およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-157092   Applicant：富士電機株式会社
• 特開平3-131073
  
• 特開昭61-283112
  
• 光起電力装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-081715   Applicant：キヤノン株式会社