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J-GLOBAL ID：200903090690862381

荷電粒子写像投影光学系、該光学系を備える荷電粒子線欠陥検査装置及び該装置により製造された半導体デバイス

Inventor： 高木 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所 ,  株式会社ニコン
Agent (1)： 井上 義雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001007764
Publication number (International publication number)：2002216689
Application date： Jan. 16, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】低倍率から高倍率までにわたり良好な光学性能を有し、大きな変倍比の、荷電粒子写像投影光学系等を提供すること。【解決手段】試料Sから発生した荷電粒子による中間像の結像倍率を変更可能な変倍光学系La,Lbと、前記中間像を拡大投影する拡大投影光学系とを備える荷電粒子写像光学系において、前記拡大投影光学系は、少なくとも第1の結像倍率β1を有する第1静電レンズL1と第2の結像倍率β2を有する第2静電レンズL2と、前記第1と第2との静電レンズを選択的に切換えるレンズ切換え部7とを有する。

Claim (excerpt)：

試料から発生した荷電粒子による中間像の結像倍率を変更可能な変倍光学系と、前記中間像を拡大投影する拡大投影光学系とを備える荷電粒子写像光学系において、前記拡大投影光学系は、少なくとも第1の結像倍率を有する第1静電レンズと、第2の結像倍率を有する第2静電レンズと、前記第1と第2との静電レンズを選択的に切換えるレンズ切換え部とを有することを特徴とする荷電粒子写像投影光学系。

IPC (5)：

H01J 37/12 ,  G01N 23/225 ,  G21K 5/04 ,  H01J 37/244 ,  H01L 21/66

FI (5)：

H01J 37/12 ,  G01N 23/225 ,  G21K 5/04 E ,  H01J 37/244 ,  H01L 21/66 J

F-Term (19)：

2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001JA01 ,  2G001KA03 ,  2G001MA05 ,  2G001PA11 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA38 ,  4M106DB04 ,  4M106DB12 ,  4M106DB14 ,  4M106DB20 ,  5C033CC01 ,  5C033NN01 ,  5C033NN02 ,  5C033NP01 ,  5C033NP05