不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：瀧野秀雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994207293
Publication number (International publication number)：1996078543
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】不揮発性半導体メモリ素子が微細化に適し、スケーリングが容易であって、ゲート・カップリング比を大きく設定することができる不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】浮遊ゲート16がトンネル酸化膜13に接するポリシリコン層14aとポリシリコン層15aからなり、ソース・ドレイン領域12の上に酸化膜17が形成されるとともに、ポリシリコン層14aのソース・ドレイン領域12側に厚い酸化膜18が成長することによりゲート長W1 を設定した不揮発性半導体メモリ装置である。

Claim (excerpt)：

浮遊ゲートがゲート絶縁膜に接する第1導電層と該第1導電層に接する第2導電層とからなり、前記第1導電層のソース・ドレイン側の側壁に前記第2導電層のソース・ドレイン側の側壁酸化膜に比して厚い酸化膜を具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

不揮発性半導体メモリ装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-336050 Applicant：株式会社リコー
特開平2-284473
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-149526 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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