Pat

J-GLOBAL ID：200903090694482990

半導体素子の処理方法

Inventor： 大藤 将人 ,  安部 勝美 ,  清水 久恵 ,  林 享 ,  佐野 政史 ,  雲見 日出也 ,  高井 康好 ,  川▲崎▼ 岳彦 ,  金子 典夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (15)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  藤野 育男 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  高梨 憲通 ,  朝日 伸光 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司 ,  松井 孝夫 ,  小林 恒夫 ,  齋藤 正巳 ,  三山 勝巳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008056284
Publication number (International publication number)：2009212443
Application date： Mar. 06, 2008
Publication date： Sep. 17, 2009
Summary：

【課題】望ましくない閾値電圧変化を補償又は抑制することが可能な半導体素子の処理方法を提供する。【解決手段】少なくとも半導体を構成要素として有する半導体素子の処理方法であって、前記半導体の吸収端波長より長波長の光を該半導体に照射することにより、前記半導体素子の閾値電圧を変化させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも半導体を構成要素として有する半導体素子の処理方法であって、 前記半導体の吸収端波長より長波長の光を該半導体に照射することにより、前記半導体素子の閾値電圧を変化させることを特徴とする半導体素子の処理方法。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627F

F-Term (21)：

5F110AA08 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN12 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-012185   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (1)

• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-012185   Applicant：松下電器産業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• “The influence of visible light on transparent zinc tin oxide thin film transistors”

Cited by examiner (1)

• “The influence of visible light on transparent zinc tin oxide thin film transistors”