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J-GLOBAL ID：200903090700644990

シリコン単結晶引き上げ方法

Inventor： 安部 登志男 ,  斉藤 正夫
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991138048
Publication number (International publication number)：1994064993
Application date： Jun. 10, 1991
Publication date： Mar. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 単結晶が特定の半導体製造条件にフィットしているか否かを判別でき、品質の信頼性と安定性の向上を可能とする。【構成】 単結晶製造時に所定のデータを検知してコンピュータに記憶させる(S5)と共に、この実測され記憶されたデータと予め記憶させておいたこれらデータの許容範囲との比較照合処理(S6)を前記コンピュータに行わせる。

Claim (excerpt)：

ルツボ内に収容されたシリコンの融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を成長させるシリコン単結晶引き上げ方法において、引き上げ条件中下記A群に掲げた条件のデータを予め定めた時間間隔で自動検出すると共にコンピュータに記憶させ、かつ引き上げ工程中下記B群に掲げた工程の開始時刻を自動検知すると共にコンピューターに記憶させ、かつシリコン溶解工程開始時のルツボ内のシリコンのチャージ量および炉内ガスのリーク量ならびに前記単結晶の肩工程開始時のルツボの引き上げ方向の位置を検出すると共にコンピュータに記憶させ、 A群 B群 シード上昇速度 真空工程 ルツボ上昇速度 溶解工程 シード回転数 シード工程 ルツボ回転数 肩工程 ヒーター温度 直胴工程 炉内圧 ボトム工程 アルゴン流量 冷却工程 シードとルツボの昇降に手動操作を施す工程 シードとルツボの回転に手動操作を施す工程前記コンピュータに、実測され記憶されたデータと予め記憶させておいたこれらデータの許容範囲との比較照合処理を行わせ、許容範囲を外れたデータを引き上げ不適合情報として出力することにより、引き上げ終了後に単結晶中の引き上げ条件外の部位を検知できるようにすると共に、各引き上げ毎のデータを前記コンピュータに保存することを特徴とするシリコン単結晶引き上げ方法。

IPC (3)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-108125
  
• 特開昭63-286668
  
• 特開平1-307679