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J-GLOBAL ID：200903090700767145

気相成長法によるシリコン窒化物膜の製造方法

Inventor： クリスチャン・デュサラ ,  ジャンマルク・ジラルド ,  木村 孝子 ,  玉置 直樹 ,  佐藤 裕輔
Applicant, Patent owner： レール・リキード-ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ,  株式会社東芝
Agent (5)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003113118
Publication number (International publication number)：2004319842
Application date： Apr. 17, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、しかも炭素系汚染質を生成膜内に有意に混入させずに、より優れた膜特性を有するシリコン窒化物膜を比較的低温でも製造することができる方法を提供する。【解決手段】少なくとも1つの基板(112)を収容する反応チャンバ(11)内にトリシリルアミンガスおよびシリルヒドラジンガスからなる群の中から選ばれる少なくとも1種の前駆体ガスとヒドラジンガスを供給することにより両ガスを気相反応させ、基板上にシリコン窒化物膜を形成する。シリルヒドラジンガスは、単独でも、熱分解によりシリコン窒化物膜を生成し得る。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの基板を収容する反応チャンバ内にトリシリルアミンガスおよびシリルヒドラジンガスからなる群の中から選ばれる少なくとも1種の前駆体ガスとヒドラジンガスを供給することにより両ガスを反応させ、該少なくとも1つの基板上にシリコン窒化物膜を形成することを特徴とする気相成長法によるシリコン窒化物膜の製造方法。

IPC (1)：

H01L21/318

FI (1)：

H01L21/318 B

F-Term (4)：

5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF02 ,  5F058BF26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭61-234534