Pat
J-GLOBAL ID：200903090708137620

薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Inventor：
坂口 昌也

About 坂口 昌也

, 
深澤 利雄

About 深澤 利雄


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999333776
Publication number (International publication number)：2001155313
Application date： Nov. 25, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：
【要約】【課題】 高記録密度化に伴う短波長の記録信号を再生するための狭ギャップレングス化された再生ヘッドにおいて、安定した縦バイアスが供給され、高感度で、且つ安定した再生性能を有する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子の最上部にあるフリー磁性層の上に、夫々左右一対の非磁性膜、強磁性膜及び反強磁性膜で構成された左右一対の積層縦バイアス層を形成することによって、非常に強い交換結合磁界で積層縦バイアス層と対向するフリー磁性層の磁化が固定でき、高感度で再生出力が安定した薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
Claim (excerpt)：
下部シールド層と上部シールド層との間に絶縁材を介して磁気抵抗効果素子を有し、前記磁気抵抗効果素子に接して設けられた縦バイアス層と、信号電流を流すための電極リード層からなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、反強磁性層、固定磁性層、非磁性導電層及びフリー磁性層からなる磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子を構成する前記フリー磁性層の上に、夫々左右一対の非磁性膜、強磁性膜及び反強磁性膜とからなる左右一対の積層縦バイアス層と、で構成されたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
IPC (5)：
G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/12 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (5)：
G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/12 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12
F-Term (13)：
5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5D034BB08 ,  5D034CA04 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC01 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM