不揮発性半導体メモリ及びその消去、書込み方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：竹村壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992148097
Publication number (International publication number)：1993326980
Application date： May. 14, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】2層ゲ-ト構造のメモリセルアレイを有する不揮発性メモリにおいて、任意のメモリセルを選択して消去する。【構成】任意のメモリセルの消去に際して電子をドレイン6に引抜き、さらに、消したいメモリセルのコントロ-ルゲ-ト3にも電位を印加する事で任意の1つのセルを消す。例えば、コントロ-ルゲ-ト3にシリコン半導体基板1より低い負の電位を加え、消去したいセルのドレイン接続されているビット線BLに正の電位を加える。この消去方法を利用してブロックで書き込むこともできる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板に形成されたソ-ス領域と、前記半導体基板に形成されたドレイン領域と、前記半導体基板のソ-ス/ドレイン領域の間の領域上に形成された第1のゲ-ト絶縁膜と、前記第1のゲ-ト絶縁膜の上に形成されたフロ-ティングゲ-トと、前記フロ-ティングゲ-トの上に形成された第2のゲ-ト絶縁膜と、前記第2のゲ-ト絶縁膜の上に形成されたコントロ-ルゲ-トと、前記コントロ-ルゲ-トに負電圧を印加し、ドレイン領域に正の電圧を印加することによって、フロ-ティングゲ-トに蓄えられた電子を放出する消去手段とを備えたメモリセルを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (6)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , G11C 16/06 , H01L 27/115

FI (4)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 D , G11C 17/00 309 C , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

不揮発性半導体メモリセルの書き換え方式
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-131491 Applicant：新日本製鐵株式会社
不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-272532 Applicant：松下電子工業株式会社
特開平4-105368

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Cited by examiner (2)

特開平3-076098
特開平1-158777

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