Pat
J-GLOBAL ID：200903090715332846
スルホン化フッ素含有重合体、それを含有する樹脂組成物および高分子電解質膜
Inventor：
,
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001352042
Publication number (International publication number)：2003147075
Application date： Nov. 16, 2001
Publication date： May. 21, 2003
Summary：
【要約】【課題】 スルホン酸基の導入量が制御されており、高分子電解質膜の材質として用いた際に高温でも優れた性質を示すスルホン化フッ素含有重合体を提供する。【解決手段】 下記の式(6)で表される繰返し単位を含有するスルホン化フッ素含有重合体。ここで、前記スルホン化フッ素含有重合体の対数粘度は0.1以上であることが好ましい。【化1】
Claim (excerpt)：
下記の式(1)で表される繰返し単位を含有するスルホン化フッ素含有重合体。【化1】(式(1)において、m,m’は芳香族環あたりのフッ素原子の配位数を表わし、m,m’は0〜4の整数であり、m+m’は1〜8の整数である。X,X’はハロゲン原子、炭素原子数1〜6の低級アルキル基または炭素原子数1〜6の低級アルコキシル基を表し、q,q’は芳香族環あたりのX,X’の配位数を表わし、q,q’は0〜4の整数である。Rは下記の式(2a)〜(2j)のいずれかで示される結合単位である。)【化2】(式(2a)〜(2j)のいずれかにおいて、n1〜n29は芳香族環あたりのスルホン酸基の配位数を表わし、n1〜n29は0〜2の整数であり、n1+n2,n3+n4,n5+n6,n7+n8,n9+n10,は1〜4の整数であり、n11+n12+n13は1〜6の整数であり、n14+n15+n16+n17,n18+n19+n20+n21,n22+n23+n24+n25,n26+n27+n28+n29は1〜8の整数である。Z1〜Z29は、炭素原子数1〜6の低級アルキル基、炭素原子数1〜6の低級アルコキシル基、炭素原子数1〜6の低級カルボキシル基、炭素原子数1〜6の低級カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、よりなる群から選ばれる一種または二種以上の官能基であり、r1〜r29は、芳香族環あたりのZ1〜Z29で表わされる官能基の配位数を表わし、r1〜r29は0〜5の整数であり、nk+rk≦4(k=1〜10,12〜13,15〜16,18〜23,26〜29)、nk+rk≦5(k=11、14、17)、nk+rk≦3(k=24、25)である。)
IPC (4)：
C08G 65/40
, H01B 1/06
, H01M 8/02
, H01M 8/10
C08G 65/40
, H01B 1/06 A
, H01M 8/02 P
, H01M 8/10
4J005AA23
, 4J005BD06
, 5G301CA30
, 5G301CD01
, 5H026AA06
, 5H026CX05
, 5H026EE19
Cited by applicant (5)
Show all
Cited by examiner (5)
Show all
Return to Previous Page
