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J-GLOBAL ID：200903090723346872
半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993290318
Publication number (International publication number)：1995142614
Application date： Nov. 19, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【構成】 素子領域に設ける窒化酸化膜からなるトンネル膜17とメモリナイトライド膜19と窒化酸化膜からなるトップ絶縁膜21からなるメモリゲート絶縁膜23と、メモリゲート絶縁膜23上に設けるゲート電極25と、ゲート電極の整合した領域に設ける高濃度領域29を備える半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法。【効果】 窒化酸化シリコン膜からなるトンネル膜と窒化酸化シリコン膜からなるトップ絶縁膜を用いることにより、情報消去時のメモリゲート絶縁膜の電界を高めることが可能となる。その結果、情報消去時間の短縮ができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に窒化酸化シリコン膜からなるトンネル膜と、窒化シリコン膜からなるメモリナイトライド膜と、窒化酸化シリコン膜からなるトップ絶縁膜とからなるメモリゲート絶縁膜を有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。
IPC (3)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
