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J-GLOBAL ID：200903090724680610
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992019855
Publication number (International publication number)：1993218042
Application date： Feb. 05, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体装置の熱膨張係数と熱膨張係数が異なる実装用基板に、フリップチップ接続(実装)した場合でも、熱ストレスにより電極バンプ部での破損,破断現象などを回避する。【構成】 半導体基板9′に形成された半導体素子領域9aと、半導体素子領域9aの外周囲に配列された第1のボンディングパッド8と、ボンディングパッド8面を露出させ少なくとも半導体素子領域9a面を被覆する絶縁膜10と、絶縁膜10上にボンディングパッド8よりも内側に形設された第2のボンディングパッド11と、ボンディングパッド11面上に設けられたバンプ電極13と、ボンディングパッド8に一端が接続しボンディングパッド11に他端が接続して絶縁膜10領域に配設された配線12とを具備して成り、ボンディングパッド11の面積が、パッド8の面積よりも大きい。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板の主面に形成された半導体素子領域と、前記各半導体素子領域に対応して半導体素子領域の外周囲に配列された第1のボンディングパッドと、前記第1のボンディングパッド面を露出させ少なくとも半導体素子領域面を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜上で第1のボンディングパッドに対応して第1のボンディングパッドよりも内側に形設された第2のボンディングパッドと、前記第2のボンディングパッド面上に設けられたバンプ電極と、前記第1のボンディングパッドに一端が接続し第2のボンディングパッドに他端が接続して絶縁膜領域に配設された配線とを具備して成り、前記第2のボンディングパッドの面積が、第1のボンディングパッドの面積よりも大きく設定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
, H01L 27/04
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