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J-GLOBAL ID：200903090726394487

スルホニウム塩化合物

Inventor： 大野 桂二 ,  深沢 和仁 ,  阪本 一徳 ,  浦野 文良 ,  角野 元重 ,  今關 重明
Applicant, Patent owner： 和光純薬工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000369910
Publication number (International publication number)：2002193925
Application date： Dec. 05, 2000
Publication date： Jul. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】 より実用的なレジスト用酸発生剤及び光カチオン性重合開始剤として使用し得るスルホニウム塩化合物の提供。【解決手段】 本発明は、一般式[1]又は[3]で示されるトリフェニルスルホニウム塩化合物。(式中、R1及びR2は夫々独立して水素原子又は低級アルキル基を表し、少なくとも一方は低級アルキル基を表し、n個のR3は夫々独立してアルキル基を表し、nは0〜3の整数を表し、iは1〜3の整数を表し、jは0〜2の整数を表し、i+j=3であり、Y-は一般式[2][式中、R4はアルキル基又はアルキル基を置換基として有していてもよいアリール基を表す。]で示されるスルホン酸由来のアニオンを表す。)(式中、Xはオルト位及び/又はメタ位に置換基を有するフェニル基を表し、mは1〜3の整数を表し、qは0〜2の整数を表し、m+q=3であり、pは1又は2を表し、Zp-はカルボン酸由来のアニオンを表す。)

Claim (excerpt)：

一般式[1]又は[3]で示されるトリフェニルスルホニウム塩化合物。(式中、R1及びR2は夫々独立して水素原子又は低級アルキル基を表し、少なくとも一方は低級アルキル基を表し、n個のR3は夫々独立してアルキル基を表し、nは0〜3の整数を表し、iは1〜3の整数を表し、jは0〜2の整数を表し、i+j=3であり、Y-は一般式[2][式中、R4はアルキル基又はアルキル基を置換基として有していてもよいアリール基を表す。]で示されるスルホン酸由来のアニオンを表す。)(式中、Xはオルト位及び/又はメタ位に置換基を有するフェニル基を表し、mは1〜3の整数を表し、qは0〜2の整数を表し、m+q=3であり、pは1又は2を表し、Zp-はカルボン酸由来のアニオンを表す。)

IPC (11)：

C07C381/12 ,  C08F 2/48 ,  C08K 5/06 ,  C08K 5/1545 ,  C08K 5/3492 ,  C08K 5/36 ,  C08L 25/18 ,  C09K 3/00 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/027

FI (11)：

C07C381/12 ,  C08F 2/48 ,  C08K 5/06 ,  C08K 5/1545 ,  C08K 5/3492 ,  C08K 5/36 ,  C08L 25/18 ,  C09K 3/00 K ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (56)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CA48 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AB40 ,  4H006AB80 ,  4H006AB81 ,  4H006TN10 ,  4H006TN30 ,  4H006TN50 ,  4H006TN90 ,  4J002AA031 ,  4J002BC121 ,  4J002ED028 ,  4J002ED057 ,  4J002EL097 ,  4J002EU188 ,  4J002EV296 ,  4J002FD050 ,  4J002FD148 ,  4J002FD156 ,  4J002FD207 ,  4J002FD310 ,  4J002GP03 ,  4J011AC04 ,  4J011QA01 ,  4J011QA02 ,  4J011QA03 ,  4J011QA05 ,  4J011QA06 ,  4J011QA08 ,  4J011QA09 ,  4J011QA33 ,  4J011QA39 ,  4J011SA83 ,  4J011SA87 ,  4J011UA01 ,  4J011VA01 ,  4J011WA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• スルホニウム塩、光酸発生剤、光カチオン重合開始剤およびレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-087561   Applicant：日本電気株式会社
• ポジ型感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-079458   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-385724   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-328968   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-329053   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-243346   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-273160   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-061479   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-066074   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-018290   Applicant：ジェイエスアール株式会社