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J-GLOBAL ID：200903090732186896

面発光型半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 高橋 敏幸 ,  今本 浩史 ,  柳ケ瀬 雅司 ,  佐野 浩二
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 牛久 健司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996162525
Publication number (International publication number)：1997326507
Application date： Jun. 04, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】【目的】 光強度がほぼ均一でかつ高い発光出力を実現する面発光型半導体発光素子とその製造方法を提供する。【構成】 n-GaAs基板1上に,n-(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>z</SB>In<SB>1-z</SB>P下部クラッド層2,p-(Al<SB>y</SB>Ga<SB>1<HAN>ー</HAN>y</SB>)<SB>z</SB>In<SB>1-z</SB>P発光層3,p-(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>z</SB>In<SB>1-z</SB>P上部クラッド層4およびp-GaAsキャップ層5(0≦y<x≦1,0≦z≦1 )を順次エピタキシャル成長させる。その後,p型の導電型をもつ不純物を光取り出し窓10の下方に位置する上部クラッド層4の部分にドープする。半導体層をキャップ層5まで成長させた後に,上部クラッド層4に不純物をドープすることによって,高い濃度の不純物をドープすることができる。電流は上部クラッド層4で充分に拡散され,これによって光取り出し領域から外部に出射される光の強度がほぼ均一になる。また不純物濃度が高いので電流密度も高まり高出力の光が出射される。

Claim (excerpt)：

結晶成長により少なくとも発光層および上部クラッド層を含む半導体層を形成し,その後,上記上部クラッド層に,上記上部クラッド層の導電型と同じ導電型の不純物をドープし,少なくとも発光素子の上面に電極を形成する,面発光型半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/12

FI (2)：

H01L 33/00 B ,  H01L 31/12 E