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J-GLOBAL ID：200903090734070160

エリプソメータ

Inventor： 柴山 恭之 ,  片岡 慶二
Applicant, Patent owner： 日立工機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999075838
Publication number (International publication number)：2000266666
Application date： Mar. 19, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 偏光解析装置における試料への入射角度を変化させることなく高精度の測定が実現可能で、かつ、温度変化等の外部環境の変動による光源の波長変化に伴う測定精度の低下を小さく抑えることが出来るエリプソメータを実現すること。【解決手段】 光源には異なる波長を発する複数のレーザチップを一つにパッケージングされた半導体レーザを用いる。また、前記半導体レーザ光源から発した光を平行光にするためにコリメータレンズを設け、さらに該コリメータレンズを透過した波長の異なる複数の光が同一光路上を進ませるために、前記コリメータレンズの後に波長分散プリズムを設ける。また、前記光源に用いる複数のレーザチップのうち少なくとも一つはGaN系青色半導体レーザチップを用いる。また、別の方法として、光源には異なる波長を発するHe-Neレーザを用いる。

Claim (excerpt)：

光源から発した光を波長板、偏光子等の光学素子を介して直線偏光、或いは楕円偏光状態の光を形成せしめ、該直線偏光、或いは楕円偏光状態の光を入射光として、表面に単層、或いは複数層の薄膜が形成された基板に角度を持たせて照射し、さらに前記薄膜および基板からの反射光の光路上には該反射光の偏光状態を調べるための検光子および光検出素子を設け、前記入反射光の偏光状態を解析することにより前記薄膜の光学定数、膜厚、および前記基板の光学定数を測定する偏光解析装置に於いて、光源には異なる波長を発する複数のレーザチップを一つにパッケージングされた半導体レーザを用いていることを特徴とするエリプソメータ。

IPC (5)：

G01N 21/21 ,  G01B 11/06 ,  G01J 4/04 ,  H01S 3/00 ,  H01S 5/02

FI (5)：

G01N 21/21 Z ,  G01B 11/06 Z ,  G01J 4/04 A ,  H01S 3/00 F ,  H01S 3/18 610

F-Term (52)：

2F065AA00 ,  2F065AA30 ,  2F065BB01 ,  2F065BB17 ,  2F065CC31 ,  2F065DD11 ,  2F065FF50 ,  2F065GG05 ,  2F065GG06 ,  2F065GG13 ,  2F065GG23 ,  2F065HH09 ,  2F065HH10 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ08 ,  2F065JJ15 ,  2F065LL04 ,  2F065LL33 ,  2F065LL34 ,  2F065LL36 ,  2F065LL47 ,  2G059AA02 ,  2G059BB10 ,  2G059EE05 ,  2G059EE11 ,  2G059GG01 ,  2G059GG02 ,  2G059GG03 ,  2G059GG04 ,  2G059HH02 ,  2G059JJ06 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ20 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK01 ,  2G059MM04 ,  2G059NN02 ,  2G059NN05 ,  5F072AA01 ,  5F072JJ20 ,  5F072KK15 ,  5F072KK30 ,  5F072RR03 ,  5F072YY11 ,  5F073CA02 ,  5F073EA07 ,  5F073EA29 ,  5F073FA11 ,  5F073HA02 ,  5F073HA10