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J-GLOBAL ID：200903090745391235
磁気デイスク及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡田 数彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994129664
Publication number (International publication number)：1995320251
Application date： May. 19, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：
【要約】【目的】電気的絶縁性基板を使用した新規な層構成を有する磁気デイスク及びバイアススパッタリング法による改良された磁気デイスクの製造方法を提供する。【構成】電気的絶縁性基板の一方の面に導電性被覆膜、下地層、磁性層、保護層を順次に形成し、他方の面に下地層、磁性層、保護層を順次に形成して成る磁気デイスク、および、両面外縁部のみに導電性被覆膜を形成した電気的絶縁性基板の両面に、下地層、磁性層、保護層を順次に形成して成る磁気デイスク。電気的絶縁性基板の一方の面または両面外縁部のみに導電性被覆膜を形成した後、スパッタリング法により、少なくとも磁性層を形成する際、導電性被覆膜の部分にプラズマ電位に対して相対的に低いバイアス電圧を印加する磁気デイスクの製造方法。
Claim (excerpt)：
電気的絶縁性基板の一方の面に導電性被覆膜、下地層、磁性層、保護層を順次に形成し、他方の面に下地層、磁性層、保護層を順次に形成して成ることを特徴とする磁気デイスク。
IPC (2)：
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