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J-GLOBAL ID：200903090746992313
Qスイッチ半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997534834
Publication number (International publication number)：2000507744
Application date： Mar. 27, 1997
Publication date： Jun. 20, 2000
Summary：
【要約】スイッチ半導体レーザは、僅かな電流又は電圧レンジで高周波レーザ変調を容易化すべきものである。本発明によれば、少なくとも1つの共振器が受動的に構成されており、両共振器はバーニャないしノギス方式に相応する異なるモードを有し、少なくとも1つの共振器ミラーが、2重共振器により選択されたレーザ波長の領域にて著しく分散性の反射特性を有する反射器として構成されており、受動共振器及び/又は反射器の屈折率が電子的に同調整合可能である。当該の配置構成により、レーザ波長に対する反射性を次のように調整できる、即ち、固定的な有効増幅度の場合、著しく分散性の反射特性を有する共振器ミラーの反射性の電気的変調によりレーザ閾値を半導体レーザがそれによりスイッチングオン又はオフされるように低下又は増大させることができる。
Claim (excerpt)：
1. 少なくとも1つの一定にポンピングされる能動的、活性媒質と、2つの光学的に結合された共振器とからなるQスイッチ半導体レーザにおいて、 -少なくとも1つの共振器が受動的共振器として構成され、 -両共振器は、バーニャないしノギス方式(No nius Prinzip)に相応する種々異なるモードを有し、 少なくとも1つの共振器ミラーが2重共振器により選択されたレーザ波長の領域にて著しく分散性のれていることを特徴とするQスイッチ半導体レーザ。、電気的に屈折率に関して整合可能なDFB格子として構成されていることを特徴とする請求の範囲1記載の半導体レーザ。3. 著しく分散性の反射特性を有する反射器(R)は、電気的に屈折率に関して整合可能なDBR格子として構成されていることを特徴とする請求の範囲1記載の半導体レーザ。4. 反射器(R)は超格子-構造を有することを特徴とする請求の範囲2又は3記載の半導体レーザ。R)を、狭帯域干渉フィルタとしてレーザファセット、フェーセット(facet)上に構成する請求の範囲1記載の半導体レーザ。6. 共振器が光学的に一定にポンピングされた活性媒質の上方に配置されたDFB格子を有する能動的レーザセクション(L)として構成され、そして、第2共振器は、受動的セクション(p)として能動的レーザセクション(L)と分散性反射器(R)との間に設けられている請求の範囲1から5までのうち少なくとも1項記載の半導体レーザ。7. 共振器が光学的に一定にポンピングされた活性媒質の上方に配置されたDFB格子を有する能動的レーザセクションとして構成され、受動的セクション(p)として構成された第2の共振器(p)と、分散性反射器(R)との間に設けられている請求の範囲1から5までのうち少なくとも1項記載の半導体レーザ。8. 能動的レーザセクション(L)として構成された共振器内にて設けられたDFB格子がブラッグ波長を有し、該ブラッグ波長は、反射器のDFB又はDBR格子の波長に対してほぼストップバンド幅だけ短波長又は長波長的にずれている請求項2、3及び6又は7記載の半導体レーザ。9. 受動的及び能動的共振器が、反射性衝き合わせ個所(8)により相互に分離され、両共振器は、2つの反射器により画定形成されている請求の範囲1から5までのうち少なくとも1項記載の半導体レーザ。10.電気的制御のほかに付加的に少なくとも1つのセクションが選択的に作動可能なヒータを有する請求項1、6、7又は9のうちいずれか1項記載の半導体レーザ。11.受動的共振器はレーザ状のヘテロ構造を有し、該ヘテロ構造は、電流注入を用いてのレーザ放射の波長の際トランスペアレンシイに調整セッティングされている請求項1、6、7又は9のうちいずれか1項記載の半導体レーザ。12.2つの別個に電気的に可制御の2つのセクションから成る受動的共振器がスペーサとして構成されている請求項1、6、7又は9のうちいずれか1項記載の半導体レーザ。13.受動的共振器の2つの別個に電気的に可制御のセクションのうちの1つがレーザ状のヘテロ構造を有し、該ヘテロ構造は、電流注入を用いてレーザ放射の波長の際トランスペアレンシイに調整セッティングされている請求項12記載の半導体レーザ。14.個々のセクションは、選択的に種々の高周波電気信号で制御されるように構成されている請求項1から13までのうち少なくとも1項記載の半導体レーザ。15.半導体レーザ構造の層平面内にて、レーザ軸に対して横断方向に導波路構造は少なくとも半導体レーザの1つのセクションへ導かれており、該1つのセクションを介して、光信号が選択的に当該セクション内へ入射されるように構成されている請求項1から14までのうち少なくとも1項記載の半導体レーザ。16.光学的窓を有するか又はセミトランスペアレントに構成された少なくとも1つのセクションの電気コンタクト内に光信号が当該のセクション内へ選択的に入射されるように構成されている請求項1から15までのうち少なくとも1項記載の半導体レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01S 3/18 630
, H01S 3/11
