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J-GLOBAL ID：200903090750959096

量子井戸構造埋め込み半導体レーザ

Inventor： 小泉 善裕
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991348829
Publication number (International publication number)：1993160509
Application date： Dec. 04, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 量子井戸構造埋め込み半導体レーザの漏れ電流を低減し、低しきい値電流の量子井戸構造埋め込み半導体レーザを得る。【構成】 電流阻止層中に、多重量子井戸を無秩序化した層13を設けるか、又は量子サイズ効果を有しない程に十分厚い狭い禁制帯幅を有する層を設ける。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板上または第1導電型クラッド層上に活性層及び第2導電型クラッド層がこの順に積層されてなる2重ヘテロ構造半導体レーザであって、発光活性層は複数の量子井戸構造からなる多重量子井戸により構成され、該発光活性層の両脇は前記多重量子井戸よりも大きな禁制帯幅を有する第1導電型及び第2導電型の電流阻止層で埋め込まれ、前記発光活性層の両側に、前記電流阻止層を挟んで、前記発光活性層と同一組成の多重量子井戸層が無秩序化されてなる層を有することを特徴とする量子井戸構造埋め込み半導体レーザ。