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J-GLOBAL ID：200903090757092047

密着層、密着層の形成方法、配線構造および配線構造の形成方法

Inventor： 糟谷 行男
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993068570
Publication number (International publication number)：1994283615
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 金属層または金属配線と絶縁膜を向上させる密着層、密着層の形成方法、配線構造およびその形成方法を提供すること。【構成】 下地30上にフッ素樹脂膜32を従来の技術を用いて1〜100μmの厚さに形成し、この上に、スパッタリング法を用いて厚さ数10〜数1000オングストロームの密着層34を形成する。密着層34の形成に際しては、ターゲットをフッ素樹脂とし、O2 、Ar、N2 等のガスで、RFパワーを10〜100W、ガス流量を10SCCM〜1SLM、ガス圧を10-1〜100Paとしてスパッタを行う。密着層34はO、N、Fという軽元素の脱離のため、ターゲットのフッ素樹脂に比べてダングリングボンドの多い、アモルファスなフッ素樹脂膜34となる。次に、この上に従来の技術を用いて金属層36を形成する。

Claim (excerpt)：

高分子からなる絶縁層と金属層との間に介在して、前記絶縁層と前記金属層とを密着させる層であって、結晶質のフッ素樹脂に含まれるダングリングボンドよりも多くのダングリングボンドを含むアモルファスなフッ素樹脂からなることを特徴とする密着層。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/203