Pat
J-GLOBAL ID：200903090781304560
半導体センサ
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997004457
Publication number (International publication number)：1998197374
Application date： Jan. 14, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】 周囲の温度が変化したときの、圧力又は加速度の検出特性の劣化を防止でき、温度特性のよい半導体センサを提供する。【解決手段】 リードフレームのダイパッドのほぼ中央部に設けられ、検出した圧力又は加速度を電気信号に変換して出力する半導体センサチップと、上記半導体センサチップを覆うように成形された樹脂モールドとを備えた半導体センサにおいて、上記ダイパッド上に、上記半導体センサチップの外周を取り囲むように、緩衝材リングを設けた。
Claim (excerpt)：
リードフレームのダイパッドのほぼ中央部に設けられ、圧力又は加速度に応じた変形量を検出し、当該変形量を電気信号に変換して出力する半導体センサチップと、上記半導体センサチップを覆うように成形された樹脂モールドとを備えた半導体センサにおいて、上記ダイパッド上に、上記半導体センサチップの周囲を取り囲むように、緩衝材リングを設け、上記樹脂モールドの熱収縮(膨張)による応力が上記半導体センサチップに側面から加わることを防止したことを特徴とする半導体センサ。
IPC (4)：
G01L 19/04
, G01L 9/04 101
, G01P 15/12
, G01P 21/00
G01L 19/04
, G01L 9/04 101
, G01P 15/12
, G01P 21/00
