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J-GLOBAL ID：200903090786591494

平面マグネトロン・スパッタリングの方法と装置

Inventor： デニス ライル クラウス ,  ディヴィッド シー.ウォジェウォダ
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995311470
Publication number (International publication number)：1996209343
Application date： Nov. 30, 1995
Publication date： Aug. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】 膜の品質と付着の均一性を向上させ、低圧力、低電圧で動作し、有効なターゲットの冷却を促進しかつ製作が容易な平面マグネトロン・スパッタリング装置を提供する。【解決手段】 開示されるマグネトロン・スパッタリング装置は内部導管を含む冷却ブロックを持つ。ターゲットは第1の面に第1および第2の溝を持つ。ターゲットの第1の面の少なくとも一部分は冷却ブロックの第1の面と接触している。第1の磁極片は第1の溝の中に位置し、第2の磁極片は第2の溝の中に位置する。第1の磁石は第1の磁極片と接触し、第1の極性を持つ。第2の磁石は第2の磁極片と接触し、第1の磁石と反対の極性を持つ。プレートは冷却ブロックの第2の面と、第1および第2ブロックに接触する。冷却液を冷却ブロックの内部導管に供給し、冷却ブロックに電圧を印加する手段が取られる。第1および第2の磁極片は、第1および第2の磁石によって生み出された磁束を反対側のターゲットの第2の面の方向に導く。

Claim (excerpt)：

マグネトロン・スパッタリング装置であって、内部導管を持つ冷却ブロックと、第1の面に第1および第2の溝を持ち、ターゲットの第1の面の少なくとも一部分は冷却ブロックの第1の面に接触している、ターゲットと、第1の溝の中に位置する第1の磁極片と、第2の溝の中に位置する第2の磁極片と、第1の磁極片と接触して第1の極性を持つ第1の磁石と、第2の磁極片と接触して第1の磁石と反対の極性を持つ第2の磁石と、冷却ブロックの第2の面と第1および第2磁石と接触するプレートと、冷却液を冷却ブロックの内部導管に供給する手段と、冷却ブロックに電圧を印加する手段とを含み、第1および第2の磁極片が磁束を反対側のターゲットの第2の面の方向に導き、磁束が第1および第2の磁石によって作り出される、スパッタリング装置。