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J-GLOBAL ID：200903090794559427

半導体の製造方法、及び半導体ウェハと半導体素子

Inventor： 堤 芳紹 ,  富岡 秀起 ,  國友 正人 ,  岡本 良雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高崎 芳紘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997113891
Publication number (International publication number)：1998306374
Application date： May. 01, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 製造される半導体ウェハや半導体素子の薄膜の不良の原因となる液体原料の滞留を解消して稼働率を向上する半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 気化手段である気化ノズル21を介して液体原料27を気化供給しながら、化学蒸着反応により半導体基板(ウェハ)4の表面に薄膜を成膜する成膜過程を含む半導体の製造方法において、気化ノズル21による成膜過程の終了後、次の成膜過程の開始前に、気化ノズル21内に残留した液体原料27を、不活性ガスの加圧気体を導入して除去する液体原料除去過程を含んでおり、これにより、成膜における不良発生の原因となる気化ノズル21内での液体原料27の滞留を防止する。

Claim (excerpt)：

少なくとも、気化手段を介して液体原料を気化供給しながら、化学蒸着反応により半導体基板表面に薄膜を成膜する成膜過程を含む半導体の製造方法であって、前記成膜過程の終了後、次の成膜過程の開始前に、前記成膜過程において前記気化手段内に残留した液体原料を除去する液体原料除去過程を含むことを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (5)：

C23C 16/44 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3)：

C23C 16/44 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651