Pat

J-GLOBAL ID：200903090795011352

基体処理装置および堆積膜形成装置

Inventor： 小池 淳
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992343758
Publication number (International publication number)：1994184757
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Jul. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】稼動率と安全性が高く装置内の汚染が防止された基体処理装置を提供し、また、稼動率が高く成膜室内の汚染が防止された堆積膜形成装置を提供する。【構成】?@マイクロ波の進行方向に沿った発散磁界をマイクロ波導入窓101の近傍に形成する。あるいは、?A有磁場プラズマCVD法による堆積膜形成装置において、電子サイクロトロン共鳴点および原料ガスの供給口から成膜空間を取り囲む壁面までの距離をガス分子の平均自由行程の6倍以上とする。

Claim (excerpt)：

大気から内部が隔離された反応室と、前記反応室内にマイクロ波エネルギーを導入するため前記反応室の壁面に設けられたマイクロ波導入窓と、前記反応室内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前記マイクロ波導入窓を介して前記反応室内に導入されるマイクロ波を発生するマイクロ波発生手段とを有し、前記反応室内に保持された基体に対して処理を行なう基体処理装置において、前記マイクロ波の進行方向に沿った発散磁界を前記マイクロ波導入窓の近傍に発生させる磁界発生手段が設けられていることを特徴とする基体処理装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46