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J-GLOBAL ID：200903090821881212

プラズマ処理装置及び方法

Inventor： 齋藤 光央 ,  矢代 陽一郎 ,  奥村 智洋 ,  木村 忠司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (2)： 河宮 治 ,  和田 充夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003301222
Publication number (International publication number)：2004111381
Application date： Aug. 26, 2003
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

【課題】 ラジカルの拡散を制御することで、基板の被処理領域のにじみを抑制し、加工精度に優れたプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置及び方法を提供する。【解決手段】 被処理物の近傍に対向配置可能なマイクロプラズマ源と、上記マイクロプラズマ源に電力を供給する電源と、上記被処理物に作用させる活性粒子を供給する噴出口とを備えたプラズマ処理装置であって、上記マイクロプラズマ源の被処理物側の端部にテーパー部を有し、上記テーパー部の端面に上記噴出口を形成する。【選択図】 図1A

Claim (excerpt)：

被処理物の近傍に対向配置可能なマイクロプラズマ源と、上記マイクロプラズマ源に電力を供給する電源と、上記被処理物に作用させる活性粒子を供給する噴出口とを備えたプラズマ処理装置であって、 上記マイクロプラズマ源の被処理物側の端部にテーパー部を有し、上記テーパー部の端面に上記噴出口を形成することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H05H1/24 ,  H01L21/3065

FI (2)：

H05H1/24 ,  H01L21/302 101E

F-Term (7)：

5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BD04 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23