光アセンブリ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995221433
Publication number (International publication number)：1997061676
Application date： Aug. 30, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】発熱の大きな半導体素子と、高インピーダンスの光素子を同一の光導波路基板上に光学的に低損失になるように搭載した光アセンブリ構造を提供する。【解決手段】半導体基板10の凸部11上に直接、あるいはサブミクロン程度の厚さの絶縁体層を介して発熱の大きな素子2を接着させる。一方、高インピーダンスの光素子3は、それと結合される光導波路層と光軸が一致するように半導体基板の凹部上に形成した溝中に搭載する。あるいは、半導体基板10の電位を電源電圧、または接地電位として、順方向にバイアスされる発熱素子2と、浮遊容量が問題になる逆バイアス素子3の基板結晶の極性を反転させる。【効果】発熱の大きな素子と、高インピーダンスの光素子を、光導波路の光軸と一致させつつ、同一の光導波路基板上に搭載可能となる。その結果、光導波路上に種々の光素子、電気素子を組み込んだハイブリッド光回路が低コストで実装できる。

Claim (excerpt)：

凸部を有する半導体基板上に形成した、第1の誘電体層、第2の誘電体層、これらの誘電体層により挟まれ、かつその屈折率が前記の誘電体層よりも大きなコアにより構成された光導波路上に、少なくとも一つの半導体素子1と他の半導体光素子2が搭載されており、半導体素子1が基板凸部上に配置され、かつ半導体光素子2が基板凹部上の前記誘電体層を掘りこんだ溝内に配置されたことを特徴とする光アセンブリ。

IPC (10)：

G02B 6/42 , G02B 6/122 , H01L 27/15 , H01L 31/0232 , H01S 3/18 , H04B 10/28 , H04B 10/26 , H04B 10/14 , H04B 10/04 , H04B 10/06

FI (6)：

G02B 6/42 , H01L 27/15 , H01S 3/18 , G02B 6/12 B , H01L 31/02 D , H04B 9/00 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

光/電子ハイブリッド実装基板およびその製法、並びに光サブモジュールおよび光/電子ハイブリッド集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-187579 Applicant：日本電信電話株式会社

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