Pat

J-GLOBAL ID：200903090828688485

非破壊型強誘電体メモリ及びその駆動方法

Inventor： 三原 孝士 ,  平出 修三
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995247859
Publication number (International publication number)：1997091970
Application date： Sep. 26, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】従来の強誘電体メモリは、集積度やコストはDRAMと変わらず、また単純マトリックス構成の強誘電体メモリは、情報の消去時、書込み時及び読出し時に非選択の記憶セルに干渉して、非選択の記憶セルに記憶する情報を破壊する場合がある。【解決手段】本発明は、抗電圧Vcよりも大きい電圧Veの第1のパルスにより第1の分極状態とし、電圧Veとは逆極性の電圧Vwの第2のパルスにより第1の分極と、逆方向の第2の分極が混合した部分分極状態にて情報の記憶し、小さなΔC/Cをデータ線の電圧変化なしで読み出せる容量付加帰還回路系と強誘電体からなる参照ダミーセル11との比較読み出しを組み合わせたセンス回路を付加し、情報の書込み・読出しが非選択セルに非干渉で非破壊読出しを実現する非破壊型強誘電体メモリである。

Claim (excerpt)：

1対の電極により挟持された強誘電体薄膜の自発分極(分極)の状態により情報を記憶する記憶セルを用いる強誘電体メモリにおいて、前記記憶セルに前記強誘電体薄膜の抗電圧Vcよりも大きい電圧Veを有する記憶情報の消去用の第1のパルスを印加するための第1の端子と、前記記憶セルに前記印加電圧Veとは逆極性のVeより小さい絶対値を持つ電圧Vwを有する情報書き込み用の第2のパルスを印加するための第2の端子と、前記記憶セルに前記電圧Veより以下の絶対値を持つ、正または負のいずれかの電圧Vrを有し、非破壊的にメモリ情報を読出すための第3のパルスを印加するための第3の端子と、前記第1乃至第3の端子のいずれかを選択する第1の選択スイッチ手段と、前記記憶セルの出力側に一端が接地される第1の切換えスイッチ手段を介して接続される帰還用容量を有して出力に帰還をかけられた第1の差動型アンプと、前記記憶セルと同等の強誘電体薄膜からなり、該記憶セルに記憶される情報と同一の情報を記憶し、任意に比較読出しを行う参照用ダミーセルに接続する前記第1乃至第3のパルス信号と同等のパルス信号が印加される第4乃至第6の端子と、前記第4乃至第6の端子のいずれかを選択し該参照用ダミーセルに印加する第2の選択スイッチ手段と、前記参照用ダミーセルの出力側に一端が接地される第2の切換えスイッチ手段を介して接続される帰還用容量を有して出力に帰還をかけられた第2の差動型アンプと、前記第1の差動型アンプと前記第2の差動型アンプとの差分を出力する第3のの差動型アンプと、を具備し、前記第1,第2の選択スイッチ手段及び、第1,第2の切換えスイッチ手段により、前記記憶セル及び前記参照用ダミーセルへの情報の消去・書込み・読出しを行い、前記記憶セル及び前記参照用ダミーセルが、前記強記誘電体薄膜の自発分極の2つの状態のうちの第1の分極状態に、前記電圧Veの第1のパルスを印加して分極し、次に前記電圧Vwを有する第2のパルスを印加し、前記第1の方向の分極を有するドメインと、前記第1の方向とは逆方向の第2の分極を有するドメインとが混合した部分分極状態にて情報を記憶し、前記電圧Vrの第3のパルスを印加して非破壊的にメモリ情報を読み出すことを特徴とする非破壊型強誘電体メモリ。

IPC (6)：

G11C 14/00 ,  G11C 7/00 315 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5)：

G11C 11/34 352 A ,  G11C 7/00 315 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651