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J-GLOBAL ID：200903090856649215

カルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法

Inventor： 寺内 正治 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 東島 隆治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994010422
Publication number (International publication number)：1995216533
Application date： Feb. 01, 1994
Publication date： Aug. 15, 1995
Summary：

【要約】【目的】 化学量論比組成のカルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 基板上の所定領域に、カルコパイライト化合物半導体をターゲットとするスパッタ法によりカルコパイライト構造半導体の構成元素からなる非晶質あるいは微結晶の薄膜を堆積する工程、堆積した薄膜を所望のカルコゲンを含む雰囲気で熱処理する工程、あるいは、堆積した薄膜上に、カルコパイライト構造半導体の構成元素との反応性が低く、相互拡散が起こりにくい別種の薄膜を堆積させ、その後熱処理する工程を有する。

Claim (excerpt)：

基板上の所定領域に、基板に到達する元素が再蒸発しないような基板温度においてカルコパイライト化合物半導体をターゲットとするスパッタ法によりカルコパイライト構造半導体の構成元素からなる非晶質あるいは微結晶の薄膜を堆積する工程、および前記堆積された薄膜を熱処理する工程を含むことを特徴とするカルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法。

IPC (5)：

C23C 14/06 ,  C01G 15/00 ,  C30B 29/46 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-132233
  
• セレン化銅インジウム薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-063592   Applicant：株式会社日鉱共石, 中田時夫