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J-GLOBAL ID：200903090877525788

化合物半導体装置及びその製造方法

Inventor： 伊藤 茂稔 ,  奥村 敏之
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996346203
Publication number (International publication number)：1997237943
Application date： Dec. 25, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 II-VI族化合物半導体材料からなる半導体積層構造における選択エッチングが可能となり、これにより歩留よく製造でき、しかも特性のよいII-VI族化合物半導体レーザ装置を得る。【解決手段】 活性層304の上側のp型ZnSSeクラッド層305上に、p型CdZnSエッチングストップ層306を介して、選択エッチングにより形成したリッジストライプ部300bを配置し、該リッジストライプ部300bを、該エッチングストップ層上に形成されたp型MgZnSSeクラッド層307を含む構造とした。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板上に直接あるいは他の半導体層を介して形成され、Cd<SB>X</SB>Zn<SB>1-X</SB>S(0<X<1)からなるエッチングストップ層と、該エッチングストップ層の表面上に形成され、ZnSe、ZnS<SB>Y</SB>Se<SB>1-Y</SB>(0<Y<1)、及びMg<SB>U</SB>Zn<SB>1-U</SB>S<SB>V</SB>Se<SB>1-V</SB>(0<U,V<1)のうちの所要のものを構成材料とする単数あるいは複数の半導体層とを備えた化合物半導体装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 D ,  H01L 21/306 B