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J-GLOBAL ID：200903090895881877

プラズマ処理装置

Inventor： 上野 雄一郎 ,  竹森 聖 ,  関 博文 ,  和田 直憲 ,  北澤 聡 ,  瀬戸山 英嗣
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 吉岡 宏嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999361204
Publication number (International publication number)：2001176697
Application date： Dec. 20, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 誘電体中を伝播するマイクロ波の伝播モードを指定の伝播モードに規制すること。【解決手段】 真空に保たれたプラズマ反応室20を有する真空容器10の側壁12に導波部32を介して導波管34を接続するとともに導波部32の外周に永久磁石50を配置し、導波部32内にマイクロ波を透過する石英窓44を挿入し、石英窓44の端部に仕切り板48を挿入し、プラズマ反応室20内にガス導入口30から処理ガスを導入し、導波管34からマイクロ波を導入する。導波管34からのマイクロ波が石英窓44に導入されると、このマイクロ波は仕切り板48によって分岐され、基本伝播モードのマイクロ波のみがプラズマ反応室20内に導入され、2つの高エネルギー電子生成領域を中心に高エネルギー電子に変換され、この高エネルギー電子が磁力線に沿って拡散され、プラズマ反応室20中の処理ガスと衝突してプラズマが広範囲に生成される。

Claim (excerpt)：

真空に保たれたプラズマ反応室を有する真空容器と、前記真空容器のプラズマ反応室内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段と、前記真空容器のプラズマ反応室に接続されたマイクロ波伝送路を有しこのマイクロ波伝送路から前記プラズマ反応室内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、前記マイクロ波伝送路を伝播するマイクロ波に対して前記プラズマ反応室内にプラズマを生成するための磁場として前記マイクロ波の周波数との関係から定まる電子サイクロトロン共鳴磁場強度の磁場を与える磁場発生手段と、前記プラズマ反応室内に配置されてプラズマにより処理される処理対象を保持する保持手段とを備え、前記マイクロ波伝送路中には前記マイクロ波伝送路を閉塞して前記処理ガスの通過を阻止し前記マイクロ波を透過する誘電体窓が挿入され、前記誘電体窓には前記誘電体窓を複数のマイクロ波伝播路に分割して前記マイクロ波の伝播モードを単一モードに規制する導体が挿入されてなるプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (4)：

H05H 1/46 B ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

F-Term (20)：

4K030CA04 ,  4K030FA02 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  5F004AA01 ,  5F004BA16 ,  5F004BB07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BD04 ,  5F004CA06 ,  5F045AA10 ,  5F045BB01 ,  5F045DP02 ,  5F045EB06 ,  5F045EB10 ,  5F045EF08 ,  5F045EH03 ,  5F045EH17 ,  5F045EH19