半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000179519
Publication number (International publication number)：2001358214
Application date： Jun. 15, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】本発明は、基板上の絶縁膜に形成された接続口の中に導電性のプラグを備える半導体装置に関し、従来の半導体製造装置を用いて製造方法を複雑化させることなく、リセス部での金属膜の段差被覆性を改善して、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】第4および第5の層間絶縁膜を形成し、第4および第5の層間絶縁膜を貫通する接続口を形成する。接続口に金属プラグを埋め込んだ後、第5の層間絶縁膜と金属プラグの露出表面をCF4ガスを含む雰囲気でドライエッチングを行い、エッチバックを実施する。これにより、金属プラグの表面と第5の層間絶縁膜との間に生じていた段差高さを軽減するとともに、接続口の形状を接続口の開口上端部ほど開口径が大きくなるように整形する。次に、第5の層間絶縁膜表面と金属プラグ表面を酸素を含有するプラズマ雰囲気にさらすか、あるいは数10nm〜400nmの波長の光を照射するか、もしくはArガスを用いたスパッタエッチング処理を施す。

Claim (excerpt)：

基板上の絶縁膜を貫通する導電性のプラグを含む配線構造を有する半導体装置であって、第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上層に形成された第2の絶縁膜と、前記第1および第2の絶縁膜を貫通する接続口内部に充填された導電性プラグと、前記第2の絶縁膜の上層に前記導電性プラグと導通するように設けられた配線層とを備え、前記導電性プラグが前記第2の絶縁膜表面より突出した形状であり、前記接続口は、接続口の開口上端部に近づくほど開口径が増大されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (4)：

H01L 21/90 A , H01L 21/302 L , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 681 F

F-Term (68)：

5F004AA02 , 5F004AA11 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB06 , 5F004DB07 , 5F004DB08 , 5F004DB10 , 5F004DB12 , 5F004EA23 , 5F004EA27 , 5F004EA31 , 5F033HH09 , 5F033HH19 , 5F033HH23 , 5F033HH28 , 5F033HH29 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ27 , 5F033JJ28 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN15 , 5F033NN32 , 5F033PP15 , 5F033QQ03 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ34 , 5F033QQ35 , 5F033QQ92 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR15 , 5F033SS04 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033VV16 , 5F033XX02 , 5F033XX05 , 5F033XX09 , 5F083AD48 , 5F083AD56 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA08 , 5F083PR03 , 5F083PR06 , 5F083PR21 , 5F083PR23 , 5F083PR39

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