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J-GLOBAL ID：200903090905462819

半導体発光素子及び発光装置

Inventor： 中島 三郎 ,  大保 広樹 ,  太田 潔
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (2)： 寺山 啓進 ,  三好 広之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005340865
Publication number (International publication number)：2007149881
Application date： Nov. 25, 2005
Publication date： Jun. 14, 2007
Summary：

【課題】 半田付けによる電圧特性の変化を抑制することができる半導体発光素子及び発光装置を提供する。【解決手段】 発光装置1は、半導体発光素子2、正極端子3aを含む保持部材3、負極端子4、樹脂製の保護部材5とを備えている。半導体発光素子2は、基板11上に半導体積層構造を有する。半導体積層構造には、基板11側から順に、n型半導体層12、活性層13、p型半導体層14、p側オーミック電極15、第1拡散防止層16、導電性反射層17、第2拡散防止層18、p側パッド電極19が積層されている。導電性反射層17には、p側オーミック電極15と接続するための第1コンタクト部17aが形成されている。p側パッド電極19には、導電性反射層17と接続するための第2コンタクト部19aが形成されている。第2コンタクト部19aと第1コンタクト部17aとが、積層方向から視て、異なる位置に形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

活性層を含む半導体層と、前記半導体層と接続されるオーミック電極と、外部と接続されるパッド電極とが積層された半導体発光素子において、 前記オーミック電極と前記パッド電極との間に中間導電層を備え、 前記オーミック電極と前記中間導電層とが接続される第1コンタクト部と、前記パッド電極と前記中間導電層とが接続される第2コンタクト部とが、積層方向から視て異なる位置に配置されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 E

F-Term (16)：

5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA91 ,  5F041CA92 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26 ,  5F041DB01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• リッジ導波路型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-394474   Applicant：日亜化学工業株式会社