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J-GLOBAL ID：200903090932866654

超電導磁気シールド容器及びその製造方法

Inventor： 星野 和友 ,  西坂 強 ,  加藤 和彦
Applicant, Patent owner： 三井金属鉱業株式会社
Agent (1)： 佐藤 孝夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994017804
Publication number (International publication number)：1995212080
Application date： Jan. 18, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 大面積の金属基材上に77K以上の臨界温度を有するBi-Pb-Sr-Ca-Cu-O酸化物超電導体の高Tc相皮膜を密着性良く形成した超電導磁気シールド容器及びその製造方法に関する。【構成】 Crを含まないNi系耐熱合金基材と、この基材面上に形成されたAg中間層と、中間層上に形成されたビスマス系酸化物超電導体の高Tc相(110K相)の組成を基本とする超電導皮膜とで構成され、前記超電導皮膜はBi:Pb:Sr:Ca:Cuのモル比で、(2-x):x:1.9:1.9:2.8(0.45≦x≦0.55)の組成を有するビスマス系酸化物超電導体のガス溶射皮膜であり、ビスマス系酸化物超電導粉末をガス溶射法により溶射した後、該溶射層を熱処理して高Tc相(110K相)の組成を基本とする超電導皮膜とすることにより得られる。

Claim (excerpt)：

Crを含まないNi系耐熱合金基材と、この基材面上に形成されたAg中間層と、中間層上に形成されたビスマス系酸化物超電導体の高Tc相(110K相)の組成を基本とする超電導皮膜とで構成され、前記超電導皮膜はBi:Pb:Sr:Ca:Cuのモル比で、(2-x):x:1.9:1.9:2.8(0.45≦x≦0.55)の組成を有するビスマス系酸化物超電導体のガス溶射皮膜であることを特徴とする超電導磁気シールド容器。

IPC (5)：

H05K 9/00 ZAA ,  C23C 4/10 ,  C23C 4/18 ,  H01L 39/00 ZAA ,  H01L 39/04 ZAA