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J-GLOBAL ID：200903090940972838

半導体装置及び光弁装置

Inventor： 高橋 邦博 ,  鷹巣 博昭 ,  中島 邦雄 ,  桜井 敦司 ,  山崎 恒夫 ,  岩城 忠雄 ,  神谷 昌明 ,  小島 芳和 ,  鈴木 瑞明
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993222627
Publication number (International publication number)：1995098460
Application date： Sep. 07, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 長時間動作によっても,シリコン単結晶デバイス形成層上のMOS型トランジスタのしきい値上昇を抑制し,信頼性に優れたMOS型集積回路を形成することができる半導体基板,及び光弁用半導体基板を提供することを目的とする。【構成】 絶縁性基板5004上に接着剤層5003を介してシリコン単結晶薄膜デバイス形成層5001を有し,前記シリコン単結晶薄膜デバイス形成層上に絶縁層5002を有し,前記シリコン単結晶薄膜デバイス形成層と前記接着剤層の間及び前記絶縁層上に熱伝導性に優れた材料より成る熱伝導層5201及び5202が配置されて成ることを特徴とする半導体基板及び光弁用半導体基板。

Claim (excerpt)：

半導体層に集積回路が形成されている半導体装置において、該集積回路で発生する熱を放熱する放熱手段が形成された半導体装置。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭58-021854
  
• 特開平4-208585
  
• 特開平3-087047
  
• 特開平2-206118
  
• 特開平3-259123
  
• 特開平3-153219
  
• 特開昭62-129822