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J-GLOBAL ID：200903090944854210
半導体チップのバンプ形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 昂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992271594
Publication number (International publication number)：1994124952
Application date： Oct. 09, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】各バンプの高さを十分に均一化でき、作業工程が簡略でバンプ形成を短時間でなし得、且つバンプの狭ピッチ化に対応できる半導体チップのバンプ形成方法の提供を目的とする。【構成】複数の薄膜状の電極パッド2が形成された半導体チップ1の電極パッド2上に突起状の電極であるバンプを形成する方法である。半導体チップ1の電極パッド2形成面に、導電性を有する紫外線硬化型の樹脂剤3を所要厚さで一様に塗布し、電極パッド2に対応する部分に紫外線透過窓4を有するマスク5を介して、塗布された樹脂剤3に紫外線6を照射することにより照射部分の樹脂剤3を硬化させた後、樹脂剤3の非硬化部分を洗浄・除去して、樹脂剤3の硬化部分7を前記バンプとする。
Claim (excerpt)：
複数の薄膜状の電極パッド(2) が形成された半導体チップ(1) の該電極パッド(2) 上に突起状の電極であるバンプを形成する方法において、前記半導体チップ(1) の電極パッド(2) 形成面に、導電性を有する紫外線硬化型の樹脂剤(3) を一様に塗布し、該電極パッド(2) に対応する部分に紫外線透過窓(4) を有するマスク(5) を介して、塗布された樹脂剤(3) に紫外線(6) を照射することにより照射部分の樹脂剤(3) を硬化させた後、該樹脂剤(3) の非硬化部分を洗浄・除去して、該樹脂剤(3) の硬化部分(7) を前記バンプとしたことを特徴とする半導体チップのバンプ形成方法。
FI (2)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 D
Cited by examiner (6)
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