Pat
J-GLOBAL ID:200903090951838394
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
萩野 平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999152860
Publication number (International publication number):2000338679
Application date: May. 31, 1999
Publication date: Dec. 08, 2000
Summary:
【要約】【課題】 遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、感度、解像力、耐ドライエッチング性、基板との密着性に優れ、更に現像の際の現像欠陥、エッジラフネス及び粗密依存性の問題を解消したポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、アダマンタン構造を有する特定の構造の繰り返し単位を有し、かつ酸の作用により分解し、アルカリに対する溶解性が増大する樹脂、及び乳酸エチルと3-エトキシプロピオン酸エチルからなる溶剤を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
Claim (excerpt):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有し、かつ酸の作用により分解し、アルカリに対する溶解性が増大する樹脂、及び(C)(a)乳酸エチルを全溶剤に対して60〜90重量%含有し、かつ(b)3-エトキシプロピオン酸エチルを全溶剤に対して10〜40重量%含有する溶剤を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。【化1】式(I)中:R1は、水素原子、ハロゲン原子又は1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。R2〜R4は、各々独立に、水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2〜R4のうち少なくとも1つは、水酸基を表す。
IPC (6):
G03F 7/039 601
, C08K 5/16
, C08L 33/14
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 504
, G03F 7/027 502
FI (6):
G03F 7/039 601
, C08K 5/16
, C08L 33/14
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 504
, G03F 7/027 502
F-Term (48):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CC03
, 2H025CC04
, 2H025FA17
, 4J002BE04X
, 4J002BF01X
, 4J002BG01X
, 4J002BG04W
, 4J002BG04X
, 4J002BG05W
, 4J002BG05X
, 4J002BG07X
, 4J002BG12X
, 4J002BH02X
, 4J002EB006
, 4J002EB069
, 4J002EB116
, 4J002ED027
, 4J002EH008
, 4J002EH037
, 4J002EH038
, 4J002EL058
, 4J002EN046
, 4J002EU026
, 4J002EU046
, 4J002EU116
, 4J002EU126
, 4J002EU186
, 4J002EU226
, 4J002EU236
, 4J002EV296
, 4J002EX009
, 4J002FD156
, 4J002FD207
, 4J002FD208
, 4J002FD319
, 4J002GP03
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