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J-GLOBAL ID：200903090959888323

電界効果トランジスタスイッチの駆動回路

Inventor： 牧野瀬 公一 ,  溝渕 康之
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田自動織機製作所
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992049948
Publication number (International publication number)：1993252014
Application date： Mar. 06, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 消費電力が少なく、スイッチング時の発熱を小さくする。【構成】 駆動回路用電源3とMOSFET1のゲートとの間にスイッチング素子SW1 と、ゲート容量Ciss と共振する共振コイル4と、ゲート側からスイッチング素子SW1 側への電流を阻止するダイオードD1 とが直列に接続されている。一端が接地されたスイッチング素子SW2 がスイッチング素子SW1 に接続されている。一端が接地されたスイッチング素子SW3 にゲート容量Ciss と共振する共振コイル5と、スイッチング素子SW3 側からゲート側への電流を阻止するダイオードD2 とが直列に接続されている。制御部7はスイッチング素子SW1 及びスイッチング素子SW2 のいずれか一方とスイッチング素子SW3 とに交互にオン、オフ制御信号を出力し、電圧検出部6の検出信号に基づいてスイッチング素子SW1 及びスイッチング素子SW2 の選択を行う。

Claim (excerpt)：

ドレインが負荷を介して負荷駆動用の電源に接続されるとともに、ソースが接地され、ゲートに印加される電圧に基づいて駆動される電界効果トランジスタと、駆動回路用電源に接続された第1のスイッチング素子と、前記第1のスイッチング素子がオン状態のとき前記電界効果トランジスタのゲート容量と共振する共振コイルと、一端が接地され他端が前記第1のスイッチング素子に接続された第2のスイッチング素子と、前記電界効果トランジスタのゲート側から前記第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子側への電流の流れを阻止する第1のダイオードと、一端が接地された第3のスイッチング素子と、前記第3のスイッチング素子がオン状態のとき電界効果トランジスタのゲート容量と共振する共振コイルと、前記第3のスイッチング素子側から前記電界効果トランジスタのゲート側への電流の流れを阻止する第2のダイオードと、前記電界効果トランジスタのゲート電圧を検出する電圧検出部と、前記第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子のいずれか一方と第3のスイッチング素子とに交互にオン、オフ制御信号を出力するとともに、前記電圧検出部の検出信号に基づいて第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子のスイッチングの選択を行う制御部とを備えた電界効果トランジスタスイッチの駆動回路。